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參數資料
| 型號： | M58WR064HU70ZB6U |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 9 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件頁數： | 71/117頁 |
| 文件大?。?/td> | 2300K |
| 代理商： | M58WR064HU70ZB6U |
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M58WR064HU M58WR064HL
Program and erase times and endurance cycles
57/117
12
Program and erase times and endurance cycles
The Program and Erase times and the number of Program/ Erase cycles per block are
shown in Table 16. In the M58WR064HU/L the maximum number of Program/ Erase cycles
depends on the voltage supply used.
Table 16.
Program, erase times and endurance cycles(1)
Parameter
Condition
Min
Typ
Typical after
100k W/E
Cycles
Max
Unit
V
PP
=
V
DD
Erase
Parameter Block (4 KWord)(2)
0.3
1
2.5
s
Main Block
(32 KWord)
Preprogrammed
0.8
3
4
s
Not Preprogrammed
1
4
s
Bank
(4Mbit)
Preprogrammed
4.5
s
Not Preprogrammed
6
s
Program(3)
Word
12
100
μs
Parameter Block (4 KWord)
40
ms
Main Block (32 KWord)
300
ms
Suspend Latency
Program
5
10
μs
Erase
5
20
μs
Program/Erase
Cycles (per Block)
Main Blocks
100,000
cycles
Parameter Blocks
100,000
cycles
V
PP
=
V
PP
H
Erase
Parameter Block (4 KWord)
0.25
2.5
s
Main Block (32 KWord)
0.8
4
s
Bank (4Mbit)
6
s
Program(3)
Word/ Double Word/ Quadruple Word(4)
10
100
μs
Parameter
Block (4
KWord)
Quad-Enhanced Factory
11
ms
Enhanced Factory
38
ms
Quadruple Word(4)
8ms
Word
32
ms
Main Block
(32 KWord)
Quad-Enhanced Factory
88
ms
Enhanced Factory
300
ms
Quadruple Word(4)
64
ms
Word
256
ms
Bank
(4Mbit)
Quad-Enhanced Factory(4)
0.7
s
Quadruple Word(4)
0.5
s
Program/Erase
Cycles (per Block)
Main Blocks
1000 cycles
Parameter Blocks
2500 cycles
1. TA = –40 to 85°C; VDD = VDDQ = 1.7V to 2V.
2. The difference between Preprogrammed and not preprogrammed is not significant (30ms).
3. Values are liable to change with the external system-level overhead (command sequence and Status Register polling
execution).
4. Measurements performed at 25°C. TA = 30°C ±10°C for Quadruple Word, Double Word and Quadruple Enhanced Factory
Program.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M59DR032F100N1T | 2M X 16 FLASH 1.8V PROM, 100 ns, PDSO48 |
| M5F7924 | 24 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7920 | 20 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7918 | 18 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
| M5F7915 | 15 V FIXED NEGATIVE REGULATOR, PSFM3 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| M58WR064KB70ZB6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS FLASH VFBGA 7.7X9.0X1.0 56 8X7 0.75 - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA |
| M58WR064KB70ZB6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH 28F640W18TD 60 VF-PBGA56 SB48 EX - Tape and Reel |
| M58WR064KB70ZB6F TR | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA |
| M58WR064KB7AZB6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 70NS 56VFBGA |
| M58WR064KB7AZB6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
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