參數(shù)資料
型號： KBE00F005A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
中文描述： 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2
文件頁數(shù)： 86/87頁
文件大?。?/td> 1353K
代理商： KBE00F005A
KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
86
Revision 1.0
0
1
2
3
4
5
6
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Extended Mode Register Set Cycle
Key
EMRS
New Command
*NOTE:
EXTENDED MODE REGISTER SET CYCLE
1. CS, RAS, CAS, BA0, BA1 & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
BA0
DQM
DQ
Ra
HIGH
*Note 2
*Note 1
*Note 3
Hi-Z
相關PDF資料
PDF描述
KBE00F005A-D411 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBJ408G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ4005G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00F005A-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00G003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
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