參數(shù)資料
型號(hào)： KBE00F005A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
中文描述： 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動(dòng)SDRAM * 2
文件頁數(shù)： 75/87頁
文件大?。?/td> 1353K
代理商： KBE00F005A
KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
75
Revision 1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4, tRDL=2CLK
HIGH
RAa
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Write
(D-Bank)
Precharge
(All Banks)
*NOTE:
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
BA0
DQM
DQ
*Note 1
*Note 2
RAb
CAa
CBb
RCc
RDd
CCc
RAa
RBb
RCc
RDd
DAa3 DBb0 DBb1 DBb2 DBb3 DCc0 DCc1 DDd0 DDd1 DDd2
t
CDL
t
RDL
Row Active
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(C-Bank)
Row Active
(D-Bank)
Write
(C-Bank)
DAa2
DAa1
DAa0
CDd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00F005A-D411 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBJ408G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ4005G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00F005A-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00G003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
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