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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00F005A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 23/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 1353K |
| 代理商： | KBE00F005A |
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KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
23
Revision 1.0
t
OH
t
OH
Read1 Operation
(Read One Page)
CE
CLE
R/B
I/O
0
~
7
WE
ALE
RE
Busy
00h or 01h A
0
~ A
7
A
9
~ A
16
A
17
~ A
24
Dout N
Dout N+1
Dout N+2
Column
Address
Page(Row)
Address
t
WB
t
AR2
t
R
t
RC
t
RHZ
t
RR
t
CHZ
Dout 527
t
WC
≈
≈
≈
A
25,
A
26
Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
I/O
X
70h
Status Output
t
CLR
t
CLH
t
CS
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR
t
OH
t
OH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
t
CHZ
t
RHZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00F005A-D411 | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00F005A-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00G003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
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