參數(shù)資料
型號： KBE00F005A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
中文描述： 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2
文件頁數(shù)： 83/87頁
文件大小： 1353K
代理商： KBE00F005A
KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
83
Revision 1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
A10/AP
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Active/Precharge Power Down Mode @CAS Latency=2, Burst Length=4
Precharge
Power-down
Entry
Row Active
Precharge
*NOTE:
1. All banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + t
SS
prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification. (64ms)
BA
DQM
DQ
*Note 1
*Note 2
Ra
Ca
Qa0
Qa1
Qa2
Precharge
Power-down
Exit
Read
Ra
t
SHZ
*Note 2
Active
Power-down
Entry
Active
Power-down
Exit
t
SS
*Note 3
t
SS
t
SS
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
KBE00F005A-D411 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBJ408G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ4005G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
KBE00F005A-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00G003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
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