參數資料
型號： KBE00F005A
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
中文描述： 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2
文件頁數： 76/87頁
文件大?。?/td> 1353K
代理商： KBE00F005A
KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
76
Revision 1.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CKE
CS
RAS
CAS
BA1
A10/AP
CL=3
ADDR
WE
: Don’t care
CLOCK
Read & Write Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
RAa
RAa
CL=2
{
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Write
(D-Bank)
Read
(B-Bank)
*NOTE:
1. t
CDL
should be met to complete write.
BA0
DQM
DQ
Precharge
(A-Bank)
CAa
RDb
RBc
CBc
RDb
t
CDL
*Note 1
Row Active
(D-Bank)
Row Active
(B-Bank)
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3
QBc0 QBc1 QBc2
DDb0 DDb1 DDb2 DDb3
QAa1
QAa0
QAa2 QAa3
QBc0 QBc1
CDb
RBc
DDb0 DDb1 DDb2 DDb3
相關PDF資料
PDF描述
KBE00F005A-D411 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBJ408G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBJ4005G 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
相關代理商/技術參數
參數描述
KBE00F005A-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00G003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00G003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2
KBE00S003M 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
KBE00S003M-D411 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2
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