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參數(shù)資料
| 型號： | KBE00F005A |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| 中文描述： | 的512Mb的NAND * 2 256Mb的移動SDRAM * 2 |
| 文件頁數(shù)： | 49/87頁 |
| 文件大?。?/td> | 1353K |
| 代理商： | KBE00F005A |
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KBE00F005A-D411
MCP MEMORY
June 2005
49
Revision 1.0
OPERATING AC PARAMETER
(AC operating conditions unless otherwise noted)
NOTES:
1. The minimum number of clock cycles is determined by dividing the minimum time required with clock cycle time and then rounding off to the next
higher integer.
2. Minimum delay is required to complete write.
3. All parts allow every cycle column address change.
4. In case of row precharge interrupt, auto precharge and read burst stop.
Parameter
Symbol
KBE00F005A-D411
111MHz@CL3
Unit
Note
Row active to row active delay
t
RRD
(min)
18
ns
1
RAS to CAS delay
t
RCD
(min)
27
ns
1
Row precharge time
t
RP
(min)
27
ns
1
Row active time
t
RAS
(min)
50
ns
1
t
RAS
(max)
100
us
Row cycle time
t
RC
(min)
77
ns
1
Last data in to row precharge
t
RDL
(min)
15
ns
2
Last data in to Active delay
t
DAL
(min)
tRDL + tRP
-
Last data in to new col. address delay
t
CDL
(min)
1
CLK
2
Last data in to burst stop
t
BDL
(min)
1
CLK
2
Auto refresh cycle time
t
ARFC
(min)
80
ns
Exit self refresh to active command
t
SRFX
(min)
120
ns
Col. address to col. address delay
t
CCD
(min)
1
CLK
3
Number of valid output data
CAS latency=3
2
ea
4
Number of valid output data
CAS latency=2
1
Number of valid output data
CAS latency=1
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KBE00F005A-D411 | 512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBJ408G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
| KBJ4005G | 4.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KBE00F005A-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00G003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00G003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:NAND 512Mb*2 + Mobile SDRAM 256Mb*2 |
| KBE00S003M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
| KBE00S003M-D411 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb NAND*2 + 256Mb Mobile SDRAM*2 |
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