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參數(shù)資料
| 型號： | K9K8G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 1克× 8位/第二代× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 49/49頁 |
| 文件大小： | 1215K |
| 代理商： | K9K8G08U0M |
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FLASH MEMORY
49
Preliminary
K9
WA
G08U1M
K9K8G08U0M
Data Protection & Power up sequence
The device is designed to offer protection from any involuntary program/erase during power-transitions. An internal voltage detector
disables all functions whenever Vcc is below about 2V. WP pin provides hardware protection and is recommended to be kept at V
IL
during power-up and power-down. A recovery time of minimum 10
μ
s is required before internal circuit gets ready for any command
sequences as shown in Figure 21. The two step command sequence for program/erase provides additional software protection.
Figure 21. AC Waveforms for Power Transition
V
CC
WP
High
≈
≈
WE
3.3V device : ~ 2.5V
3.3V device : ~ 2.5V
10
μ
s
≈
≈
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9WAG08U1M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| K9S2808V0B | TV 29C 29#16 PIN RECP |
| K9S6408V0B | SmartMedia CARD |
| K9S6408V0C | SmartMedia CARD |
| K9S3208V0A | 4M x 8 bit SmartMedia Card |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9K8G08U0M-PCB0000 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9K8G08U1A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9K8G08U1A-I | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
| K9K8G08U1M | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9K8G08UOA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit / 4G x 8 Bit NAND Flash Memory |
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