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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9K8G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 1克× 8位/第二代× 8位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1215K |
| 代理商： | K9K8G08U0M |
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FLASH MEMORY
25
Preliminary
K9
WA
G08U1M
K9K8G08U0M
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
NOTE
Device
I/O
DATA
ADDRESS
I/Ox
Data In/Out
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
Row Add3
K9K8G08U0M
I/O 0 ~ I/O 7
2,112byte
A0~A7
A8~A11
A12~A19
A20~A27
A28~A30
I/Ox
CE
WE
CLE
ALE
Col. Add1
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
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WH
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WC
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WP
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WH
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WC
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WP
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DH
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ALH
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ALS
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WH
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DH
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WP
I/Ox
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
t
WC
t
WH
t
ALH
t
ALS
t
DS
t
DH
Row Add3
t
ALH
t
CLS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9WAG08U1M | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| K9K8G08U1A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:FLASH MEMORY |
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