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參數(shù)資料
| 型號： | HYB25R128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-MBit Direct RDRAM(128 M位直接RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128米位直接的RDRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 71/93頁 |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25R128160C |
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Data Book
71
2.00
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Table 21
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
min.
max.
V
REF
current @
V
REF,MAX
RSL output high current @ (0
≤
V
OUT
≤
V
DD
)
RSL
I
OL
current @
V
OL
= 0.9 V,
V
DD,MIN
,
T
J,MAX
RSL
I
OL
current resolution step
Dynamic output impedance
I
REF
I
OH
I
ALL
I
OL
r
OUT
I
I,CMOS
– 10
10
μ
A
μ
A
mA
– 10
10
1)
30.0
90.0
–
2.0
mA
μ
A
150
–
CMOS input leakage current
@ (0
≤
V
I,CMOS
≤
V
CMOS
)
CMOS output voltage @
I
OL,CMOS
= 1.0 mA
CMOS output high voltage
@
I
OH,CMOS
= – 0.25 mA
– 10.0
10.0
V
OL,CMOS
V
OH,CMOS
–
V
CMOS
– 0.3
0.3
V
–
V
1)
This measurement is made in manual current control mode; i.e. with all output device legs sinking current.
Table 22
Timing Characteristics
Parameter Symbol
Limit Values
Unit
Figure
min.
– 0.350
1),3)
– 0.300
2),3)
– 0.260
3)
max.
+ 0.350
1),3)
+ 0.300
2),3)
+ 0.260
3)
t
Q
CTM-to-DQA/DQB output time
@
t
CYCLE
= 3.33 ns
CTM-to-DQA/DQB output time
@
t
CYCLE
= 2.81 ns
CTM-to-DQA/DQB output time
@
t
CYCLE
= 2.50 ns
DQA/DQB output rise and fall times
ns
ns
ns
Figure 55
Figure 55
Figure 55
t
QR
,
t
QF
t
Q1
0.2
0.45
ns
Figure 55
SCK(neg)-to-SIO0 delay
@
C
LOAD,MAX
= 20 pF (SD read data
valid).
–
10
ns
Figure 58
t
HR
SCK(pos)-to-SIO0 delay
@
C
LOAD,MAX
= 20 pF (SD read data
hold).
SIO
OUT
rise/fall @
C
LOAD,MAX
= 20 pF
SIO0-to-SIO1 or SIO1-to-SIO0 delay @
C
LOAD,MAX
= 20 pF
NAP exit delay - phase A
2
–
ns
Figure 58
t
QR1
,
t
QF1
t
PROP1
–
5
ns
Figure 58
–
10
ns
Figure 58
t
NAPXA
t
NAPXB
t
PDNXA
t
PDNXB
–
50
ns
Figure 48
NAP exit delay - phase B
–
40
ns
μ
s
t
CYCLE
Figure 48
PDN exit delay - phase A
–
4
Figure 48
PDN exit delay - phase B
–
9000
Figure 48
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 25M144180C | 144-MBit Direct RDRAM(144 M位直接RDRAM) |
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| HYB3116160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3118160BST-70 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
| HYB3116160BST-60 | 1M x 16-Bit Dynamic RAM 1k & 4k -Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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