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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB25R128160C |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 128-MBit Direct RDRAM(128 M位直接RDRAM) |
| 中文描述： | 128 - Mbit的直接的RDRAM（128米位直接的RDRAM） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 53/93頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 919K |
| 代理商： | HYB25R128160C |
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Data Book
53
2.00
Direct RDRAM
128/144-MBit (256K
×
16/18
×
32s)
Figure 34
REFR Register
Figure 35
CCB Register
11
0
14
0
0
15
0
0
13 12
Address: 042
16
Control Register: REFR
0
0
10 9
7
8
6
REFR8...REFR0
3
5
4
2
0
Read/write register.
Reset value is zero (from SETR/CLRR).
Refresh Row register.
REFR8...REFR0 is the row that will be refreshed
next by the REFA command or by self-refresh.
REFR8...0 is incremented when BR4...0 = 1111 for
the REFA command. REFR8...0 is incremented
when REFB4...0 = 1111 for self-refresh.
1
SPD04257
Read/write register.
Reset value is zero (SETR/CLRR or SIO Reset).
CCB6...CCB0 - Current Control B. Controls the
I
OL
output current for the DQB8...DQB0 pins.
ASYMB0 control the asymmetry of the
V
OL
/
V
OH
voltage swing about the V
REF
reference voltage
for the DQB8...0 pins.
11
0
14
0
0
15
0
0
13 12
Address: 044
16
Control Register: CCB
0
0
10 9
ASYMB
0
0
7
8
6
3
5
4
2
0
CCB6...CCB0
1
SPD04281
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