參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AF-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 90/96頁
文件大小： 1571K
代理商： HYB18T512800AF-37
–495
–770
–1420
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Reference Loads, Setup & Hold Timing Definition and Slew Rate Derating
Data Sheet
90
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Table 42
Command / Address
Slew rate (V/ns)
Input Setup (
t
IS
) and Hold (
t
IH
) Time Derating Table
CK, CK Differential Slew Rate
2.0 V/ns
t
IS
t
IH
187
94
179
89
167
83
150
75
125
45
83
21
0
0
–11
–14
–25
–31
–43
–54
–67
–83
–110
–125
–175
–188
–285
–292
–350
–375
–525
–500
–800
–708
–1450
–1125
Units
Notes
1)
1) For all input signals the total
t
IS
(input setup time) and
t
IH
(input hold time) required is calculated by adding the individual
value to the derating value listed in this table.
1.5 V/ns
t
IS
217
209
197
180
155
113
30
19
5
–13
–37
–80
–145
–255
–320
1.0 V/ns
t
IS
247
239
227
210
185
143
60
49
35
17
–7
–50
–115
–225
–290
–465
–740
–1390
t
IH
124
119
113
105
75
51
30
16
–1
–24
–53
–95
–158
–262
–345
–470
–678
–1095
t
IH
154
149
143
135
105
81
60
46
29
6
–23
–65
–128
–232
–315
–440
–648
–1065
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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