參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18T512800AF-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 68/96頁(yè)
文件大?。?/td> 1571K
代理商： HYB18T512800AF-37
Symbol
Rtt1
(eff)
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
68
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
5
AC & DC Operating Conditions
5.1
DC Operating Conditions
Table 21
Symbol
Recommended DC Operating Conditions (SSTL_18)
Parameter
Rating
Min.
1.7
1.7
1.7
0.49
×
V
DDQ
V
REF
– 0.04
Units
Notes
Typ.
1.8
1.8
1.8
0.5
×
V
DDQ
V
REF
Max.
1.9
1.9
1.9
0.51
×
V
DDQ
V
REF
+ 0.04
V
DD
V
DDDL
V
DDQ
V
REF
V
TT
Supply Voltage
Supply Voltage for DLL
Supply Voltage for Output
Input Reference Voltage
Termination Voltage
V
V
V
V
V
1)
1)
V
DDQ
tracks with
V
DD
,
V
DDDL
tracks with
V
DD
. AC parameters are measured with
V
DD
,
V
DDQ
and
V
DDDL
tied together.
2) The value of
V
REF
may be selected by the user to provide optimum noise margin in the system. Typically the value of
V
REF
is
expected to be about 0.5
×
V
DDQ
of the transmitting device and
V
REF
is expected to track variations in
V
DDQ
.
3) Peak to peak ac noise on
V
REF
may not exceed
±
2%
V
REF
(dc)
4)
V
TT
is not applied directly to the device.
V
TT
is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal
to
V
REF
, and must track variations in die dc level of
V
REF
.
1)
1)
2)3)
4)
Table 22
Parameter / Condition
Termination resistor impedance value for
EMRS(1)(A6,A2)= 0,1
Termination resistor impedance value for
EMRS(1)(A6,A2)=1,0
Deviation of VM with respect to VDDQ / 2
ODT DC Electrical Characteristics
Min.
60
Nom.
75
Max.
90
Units
Notes
1)
1) Measurement Definition for Rtt(eff): Apply
V
IH(ac)
and
V
IL(ac)
to test pin separately, then measure current
I
(
V
IHac
) and
I
(
V
ILac
)
respectively. Rtt(eff) = (
V
IH(ac)
–
V
IL(ac)
) /(
I
(
V
IHac
)
–
I
(
V
ILac
)).
2) Measurement Definition for
V
M
: Measure voltage (
V
M
) at test pin (midpoint) with no load: delta
V
M
=((2
x
V
M
/
V
DDQ
)
–
1)
x
100%
Rtt2
(eff)
120
150
180
1)
delta VM
–6.00
—
+ 6.00
%
2)
Table 23
Symbol
I
IL
I
OL
Input and Output Leakage Currents
Parameter / Condition
Input Leakage Current; any input 0 V <
V
IN
<
V
DD
Output Leakage Current; 0 V < V
OUT
<
V
DDQ
Min.
–2
–5
Max.
+2
+5
Units
μ
A
μ
A
Notes
1)
1) all other pins not under test = 0 V
2) DQ’s, DQS, DQS and ODT are disabled
2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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