參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 73/96頁
文件大小： 1571K
代理商： HYB18T512800AF-37
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
AC & DC Operating Conditions
Data Sheet
73
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
Figure 65
Full Strength Default Pull-up Driver Diagram
Note:The driver characteristics evaluation conditions are:
1. Nominal Default 25
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.8 V, typical process,
2. Minimum 95
o
C (
T
case
),
V
DDQ
= 1.7V, slow-slow process,
3. Maximum 0
o
C (
T
case
).
V
DDQ
= 1.9 V, fast-fast process
Table 31
Voltage (V)
Full Strength Default Pull–down Driver Characteristics
Pull-down Driver Current [mA]
Minimum
Nominal Default low
8.5
11.3
12.1
16.5
14.7
21.2
16.4
25.0
17.8
28.3
18.6
30.9
19.0
33.0
19.3
34.5
19.7
35.5
19.9
36.1
20.0
36.6
20.1
36.9
20.2
37.1
20.3
37.4
20.4
37.6
20.6
37.7
—
37.9
—
—
Nominal Default high
11.8
16.8
22.1
27.6
32.4
36.9
40.9
44.6
47.7
50.4
52.6
54.2
55.9
57.1
58.4
59.6
60.9
—
Maximum
15.9
23.8
31.8
39.7
47.7
55.0
62.3
69.4
75.3
80.5
84.6
87.7
90.8
92.9
94.9
97.0
99.1
101.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
1.7
1.8
1.9
-120
-100
-80
-60
-40
-20
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
VDDQ to VOUT (V)
P
Minimum
Nominal Default Low
Nominal Default High
Maximum
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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參數(shù)描述
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HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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