參數(shù)資料
型號： HYB18T512800AF-37
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
中文描述： 512兆雙數(shù)據(jù)速率2內(nèi)存
文件頁數(shù)： 11/96頁
文件大?。?/td> 1571K
代理商： HYB18T512800AF-37
HYB18T512[400/800/160]A[C/F]–[3.7/5]
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Overview
Data Sheet
11
Rev. 1.13, 2004-05
09112003-SDM9-IQ3P
D3
D1
D9
B1
B9
Data Strobe
×
4
/×
8
organisations
B7
DQS
A8
DQS
Data Strobe
×
8
organisations
B3
RDQS
A2
RDQS
Data Strobe
×
16 organization
B7
UDQS
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
I/O
I/O
I/O
I/O
I/O
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
SSTL
Data Signal 11
Data Signal 12
Data Signal 13
Data Signal 14
Data Signal 15
I/O
I/O
SSTL
SSTL
Data Strobe
Data Strobe
I/O
I/O
SSTL
SSTL
Mode Register Select
Data Strobe
I/O
SSTL
Data Strobe Upper Byte
A8
UDQS
I/O
SSTL
Data Strobe Upper Byte
F7
E8
Data Mask
×
4
/×
8
organizations
B3
DM
Data Mask
×
16 organization
B3
UDM
F3
LDM
Power Supplies
×
4/
×
8
/×
16 organizations
A9,C1,C3,C7,
C9
A1
V
DD
A7,B2,B8,D2,
D8
A3,E3
V
SS
Power Supplies
×
4/
×
8 organizations
E2
V
REF
E1
V
DDL
E9,H9,L1
V
DD
E7
V
SSDL
J1,K9
V
SS
Power Supplies
×
16 organization
J2
V
REF
E9, G1, G3,
G7, G9
J1
V
DDL
LDQS
LDQS
I/O
I/O
SSTL
SSTL
Data Strobe Lower Byte
Data Strobe Lower Byte
I
SSTL
Data Mask
I
I
SSTL
SSTL
Data Mask Upper Byte
Data Mask Lower Byte
V
DDQ
PWR
–
I/O Driver Power Supply
PWR
PWR
–
–
Power Supply
Power Supply
V
SSQ
PWR
–
Power Supply
AI
PWR
PWR
PWR
PWR
–
–
–
–
–
I/O Reference Voltage
Power Supply
Power Supply
Power Supply
Power Supply
AI
PWR
–
–
I/O Reference Voltage
I/O Driver Power Supply
V
DDQ
PWR
–
Power Supply
Table 3
Ball#/Pin#
Pin Configuration of DDR SDRAM
Name
Pin
Type
Buffer
Type
Function
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18T512800AF-5 512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
HYB25D128160CE-5 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128400CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128800CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D128160CE-6 128 Mbit Double Data Rate SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HYB18T512800AF-3S 制造商:Qimonda 功能描述: 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:32M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84
HYB18T512800BF-2.5 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:60 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:16K (2K x 8) 速度:2MHz 接口:SPI 3 線串行 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-PDIP 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1449 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3.7 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
HYB18T512800BF-3S 功能描述:IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
HYB25D128160AT-6 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:128 Mbit Double Data Rate SDRAM
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