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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RD168DB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（128MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 46/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | HB52RD168DB |
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HB52RD168DB-D
46
Write with auto precharge to Read command interval
1. Different bank:
When some banks are in the active state, the second read command (another bank) is
executed. However, in case of a burst write, data will continue to be written until one clock before the read
command is executed. The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second
command.
Write with Auto Precharge to Read Command Interval
(Different bank)
CK
Command
BA
Dout
Din
WRIT A
READ
out B0
out B1
out B2
out B3
CE
Latency = 3
Burst Length = 4
bank0
Write A
bank3
Read
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQMB
in A0
2. Same bank:
The consecutive read command from write with auto precharge (the same bank) is illegal.
It is necessary to separate the two commands with a bank active command.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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