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參數(shù)資料
| 型號： | HB52RD168DB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（128MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 45/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | HB52RD168DB |
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HB52RD168DB-D
45
Read with auto precharge to Write command interval
Different bank:
When some banks are in the active state, the second write command (another bank) is
executed. However, DQMB must be set High so that the output buffer becomes High-Z before data input.
The internal auto-precharge of one bank starts at the next clock of the second command.
Read with Auto Precharge to Write Command Interval
(Different bank)
CK
Command
BA
Dout
Din
CL = 2
CL = 3
READ A
WRIT
in B0
in B1
in B2
in B3
Burst Length = 4
bank0
Read A
bank3
Write
Note: Internal auto-precharge starts at the timing indicated by " ".
DQMB
High-Z
2. Same bank:
The consecutive write command from read with auto precharge (the same bank) is illegal.
It is necessary to separate the two commands with a bank active command.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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