- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52RD168DB (Hitachi,Ltd.) 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52RD168DB |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM（128MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 41/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 623K |
| 代理商： | HB52RD168DB |
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HB52RD168DB-D
41
Write command to Write command interval:
1. Same bank, same ROW address:
When another write command is executed at the same ROW
address of the same bank as the preceding write command, the second write can be performed after an
interval of no less than 1 clock. In the case of burst writes, the second write command has priority.
WRITE to WRITE Command Interval
(same ROW address in same bank)
CK
Command
Din
in B3
Address
in B1
in B2
BA
ACTV
Row
Column A
WRIT
WRIT
Column B
in A0
in B0
Bank0
Active
Column =A
Write
Column =B
Write
Burst Write Mode
Burst Length = 4
Bank 0
2. Same bank, different ROW address:
When the ROW address changes, consecutive write commands
cannot be executed; it is necessary to separate the two write commands with a precharge command and a
bank-active command.
3. Different bank:
When the bank changes, the second write can be performed after an interval of no less
than 1 clock, provided that the other bank is in the bank-active state. In the case of burst write, the second
write command has priority.
WRITE to WRITE Command Interval
(different bank)
CK
Command
Din
in B3
Address
in B1
in B2
BA
ACTV
Row 0
Row 1
ACTV
WRIT
Column A
in A0
in B0
Bank0
Active
Bank3
Active
Bank0
Write
Bank3
Write
WRIT
Column B
Burst Write Mode
Burst Length = 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RD328DC | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| HB52RF1289E2-75B | x72 SDRAM Module |
| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM |
| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52RF329E2 | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52RD168DB-A6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RD168DB-A6FL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RD168DB-B6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RD168DB-B6FL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52RD168GB-A6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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