參數(shù)資料
型號(hào): HB52RD168DB
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述: 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM(128MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 10/67頁(yè)
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代理商: HB52RD168DB
HB52RD168DB-D
10
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
V
T
–0.5 to V
+ 0.5
(
4.6 (max))
V
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
Iout
–0.5 to +4.6
V
1
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
16
W
Operating temperature
0 to +65
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Respect to V
SS
.
Tstg
–55 to +125
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +65
°
C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
3.3
3.6
V
1, 2
0
0
0
V
3
Input high voltage
2.0
V
CC
+ 0.3
0.8
V
1, 4, 5
Input low voltage
–0.3
V
1, 6
Ambient illuminance
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
4. CK, CKE,
S
, DQMB, DQ pins: V
IH
(max) = V
CC
+ 0.5 V for pulse width
5 ns at V
CC
.
5. Others: V
IH
(max) = 4.6 V for pulse width
5 ns at V
CC
.
6. V
IL
(min) = –1.0 V for pulse width
5 ns at V
SS
.
100
lx
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RD328DC 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM)
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HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
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參數(shù)描述
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