參數(shù)資料
型號(hào)： HB52RD168DB
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 128 MB的無(wú)緩沖內(nèi)存的SODIMM（128MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 15/67頁(yè)
文件大?。?/td> 623K
代理商： HB52RD168DB
HB52RD168DB-D
15
DC Characteristics
(Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52RD168DB
-A6D/A6DL/B6D/B6DL
Parameter
Symbol Min
Max
Unit
Test conditions
Notes
Operating current
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
I
CC1
I
CC1
—
1040
mA
Burst length = 1
t
RC
= min
1, 2, 3
—
1120
mA
Standby current in power down I
CC2P
Standby current in power down
(input signal stable)
—
48
mA
CKE0 = V
IL
, t
CK
= 15 ns 6
CKE0 = V
IL
, CK0/CK1
= V
IL
or V
IH
Fixed
CKE0,
S
= V
IH
,
t
CK
= min
CKE0,
S
= V
IH
,
t
CK
= min
CKE0,
S
= V
IH
,
t
CK
= min
I
CC2PS
—
32
mA
7
Standby current in non power
down
I
CC2N
—
256
mA
4
Active standby current in power
down
I
CC3P
—
64
mA
1, 2, 6
Active standby current in non
power down
I
CC3N
—
320
mA
1, 2, 4
Burst operating current
(
CE
latency = 2)
(
CE
latency = 3)
I
CC4
I
CC4
I
CC5
I
CC6
—
960
mA
t
CK
= min, BL = 4
1, 2, 5
—
1120
mA
Refresh current
—
1840
mA
t
RC
= min
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
V
IH
≥
V
– 0.2 V
V
IL
≤
0.2 V
0
≤
Vin
≤
V
CC
0
≤
Vout
≤
V
CC
DQ = disable
3
Self refresh current
—
16
mA
8
Self refresh current
(L-version)
I
CC6
—
6.4
mA
Input leakage current
I
LI
I
LO
–10
10
μ
A
μ
A
Output leakage current
–10
10
Output high voltage
V
OH
V
OL
2.4
—
V
I
OH
= –2 mA
I
OL
= 2 mA
Output low voltage
Notes: 1. I
depends on output load condition when the device is selected. I
CC
(max) is specified at the
output open condition.
2. One bank operation.
3. Input signals are changed once per one clock.
4. Input signals are changed once per two clocks.
5. Input signals are changed once per four clocks.
6. After power down mode, CK0/CK1 operating current.
7. After power down mode, no CK0/CK1 operating current.
8. After self refresh mode set, self refresh current.
—
0.4
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RD328DC 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM)
HB52RF1289E2-75B x72 SDRAM Module
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52RF329E2 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52RD168DB-A6F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-A6FL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-B6F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD168DB-B6FL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52RD168GB-A6F 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
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