參數(shù)資料
型號(hào): HB52RD168DB
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述: 128 MB的無緩沖內(nèi)存的SODIMM(128MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存)
文件頁數(shù): 18/67頁
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代理商: HB52RD168DB
HB52RD168DB-D
18
Notes: 1. AC measurement assumes t
T
= 1 ns. Reference level for timing of input signals is 1.5 V.
2. Access time is measured at 1.5 V. Load condition is C
L
= 50 pF.
3. t
LZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4. t
HZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5. t
CES
defines CKE setup time to CK rising edge except power down exit command.
Test Conditions
Input and output timing reference levels: 1.5 V
Input waveform and output load: See following figures
T
2.4 V
0.4 V0.8 V
2.0 V
input
T
DQ
CL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RD328DC 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM)
HB52RF1289E2-75B x72 SDRAM Module
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52RF329E2 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
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參數(shù)描述
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