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參數(shù)資料
| 型號： | μPD45128441 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-bit Synchronous DRAM(128M 同步DRAM) |
| 中文描述： | 128兆位同步DRAM（128M的同步DRAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 38/84頁 |
| 文件大小： | 693K |
| 代理商： | ΜPD45128441 |
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Preliminary Data Sheet
38
μ
PD45128441, 45128841, 45128163
Asynchronous Characteristics
Parameter
Symbol
-80
-10
-10B
Unit
Note
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
ACT to REF/ACT command period (operation)
t
RC
70
70
90
ns
REF to REF/ACT command period (refresh)
t
RC1
70
78
90
ns
ACT to PRE command period
t
RAS
48
120,000
50
120,000
60
120,000
ns
PRE to ACT command period
t
RP
20
20
30
ns
Delay time ACT to READ/WRITE command
t
RCD
20
20
30
ns
ACT (one) to ACT (another) command period
t
RRD
16
20
20
ns
Data-in to PRE command period
t
DPL
8
10
10
ns
Data-in to ACT (REF) command
period (Auto precharge)
/CAS latency = 3
t
DAL3
1CLK
+20
1CLK
+20
1CLK
+30
ns
/CAS latency = 2
t
DAL2
1CLK
+20
1CLK
+20
1CLK
+30
ns
Mode register set cycle time
t
RSC
2
2
2
CLK
Transition time
t
T
0.5
30
1
30
1
30
ns
Refresh time (4,096 refresh cycles)
t
REF
64
64
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD4516161A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動態(tài)RAM) |
| μPD4516421A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動態(tài)RAM) |
| μPD4516821A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動態(tài)RAM) |
| μPD45256163 | 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動態(tài)RAM) |
| μPD45256441 | 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD45128441G5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10I-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10LI-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10LT-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10T-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
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