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參數(shù)資料
| 型號： | μPD45128441 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 128M-bit Synchronous DRAM(128M 同步DRAM) |
| 中文描述： | 128兆位同步DRAM（128M的同步DRAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 30/84頁 |
| 文件大小： | 693K |
| 代理商： | ΜPD45128441 |
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Preliminary Data Sheet
30
μ
PD45128441, 45128841, 45128163
11.4 Read to Write Command Interval
During a read cycle, READ can be interrupted by WRITE.
The Read and Write command interval is 1 cycle minimum. There is a restriction to avoid data conflict. The Data
bus must be Hi-Z using DQM before WRITE.
READ can be interrupted by WRITE. DQM must be High at least 3 clocks prior to the Write command.
D1
D2
D3
D4
Read
DQ
Command
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 4
Write
DQM
Hi-Z
1cycle
CLK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Burst length = 8
T9
Q1
Q2
Q3
Read
DQ
Command
D1
D2
D3
Write
DQM
Hi-Z is
necessary
Q1
Q2
Read
DQ
Command
D1
D2
D3
Write
DQM
Hi-Z is
necessary
/CAS latency = 2
/CAS latency = 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| μPD4516161A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動態(tài)RAM) |
| μPD4516421A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動態(tài)RAM) |
| μPD4516821A | 16M-bit Synchronous DRAM(16M 同步動態(tài)RAM) |
| μPD45256163 | 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動態(tài)RAM) |
| μPD45256441 | 256M-Bit Synchronous DRAM(256M 同步 動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PD45128441G5 | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10I-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10LI-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10LT-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
| PD45128441G5-A10T-9JF | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128M-bit Synchronous DRAM 4-bank, LVTTL WTR (Wide Temperature Range) |
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