參數(shù)資料
型號(hào)： XE8000EV104
廠商： Semtech
文件頁(yè)數(shù)： 43/156頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： EVAL BOARD FOR XE8805AMI028LF
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類型： MCU
適用于相關(guān)產(chǎn)品： XE88LC05AMI028
所含物品： 完全組裝的評(píng)估板
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)當(dāng)前第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)第135頁(yè)第136頁(yè)第137頁(yè)第138頁(yè)第139頁(yè)第140頁(yè)第141頁(yè)第142頁(yè)第143頁(yè)第144頁(yè)第145頁(yè)第146頁(yè)第147頁(yè)第148頁(yè)第149頁(yè)第150頁(yè)第151頁(yè)第152頁(yè)第153頁(yè)第154頁(yè)第155頁(yè)第156頁(yè)
Semtech 2006
www.semtech.com
19-3
XE8805/05A
19.4
D/A specification
The D/A generates a voltage on node DAB_OUT that is proportional to the code RegDabIn in between the positive
reference voltage DAB_R_P and the negative reference voltage DAB_R_M. The voltage on DAB_R_P always has
to be larger than the voltage on DAB_R_M. The DAB is intended for very low frequency use. The specification is
given in Table 19-3.
The DAB is based on a resistive ladder. Capacitors larger than 100pF are allowed on the node DAB_OUT, but the
step response will increase proportionally.
sym
description
min
typ
max
unit
note
wda
number of input bits
8
bits
tstep
step response
0.25
1
ms
1
OR
D/A output range
DAB_R_M
DAB_R_P
refp
DAB_R_P range
VSS+2.3
VBAT
V
refn
DAB_R_M range
VSS
VBAT-2.3
V
Rdab
impedance between
DAB_R_P and DAB_R_M
1.6
Mohm
1.
Time to reach the final value within 5%, CL on DAB_OUT smaller than 100pF.
Table 19-3. D/A specification.
19.5
Amplifier specification
The amplifier output stage is a single transistor follower that is able to drive large currents. This transistor is not
connected internally so that different circuit configurations are possible (see next section). In order to guarantee
correct functionality, the voltage on the output pins has to respect the specifications VRAOP and VRAOM as indicated
in Table 19-4.
sym
description
min
typ
max
unit
Note
gain
gain at DC
60
90
dB
1
GBW
gain bandwidth product
100
4500
Hz
1
φ
m
phase margin
60
80
°
1
RL
resistive load
300
100000
CL
capacitive load
1
nF
CMR
common mode input range
VSS
VBAT
V
VRAOM
DAB_AOM voltage range
VSS+0.2
DAB_AOP-0.2
V
1
VRAOP
DAB_AOP voltage range
VSS+2.3
VBAT
V
1
Voff
offset
±10
mV
noise
integrated input noise
60
100
Vrm
s
Isource
max source current
10
40
mA
PSRR
power supply rejection ratio
80
dB
2
Ibias
quiescent bias current
5
10
A
Ioff
off current
0.1
1
A
1.
For all possible combinations of resistive load and capacitive load.
2.
At DC.
Table 19-4. Amplifier specification.
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