參數(shù)資料
型號： W9412G6CH-5
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 45/55頁
文件大?。?/td> 2011K
代理商： W9412G6CH-5
W9412G6CH
Publication Release Date: Nov. 19, 2007
- 5 -
Revision A07
3. KEY PARAMETERS
SYMBOL
DESCRIPTION
MIN./MAX.
-45
-5
-6
-75
Min.
-
7.5 nS
CL = 2
Max.
-
12 nS
Min.
-
6 nS
7.5 nS
CL = 2.5
Max.
-
12 nS
Min.
4.5 nS
5 nS
6 nS
7.5 nS
tCK
Clock Cycle Time
CL = 3
Max.
12 nS
tRAS
Active to Precharge Command Period
Min.
36 nS
40 nS
42 nS
45 nS
tRC
Active to Ref/Active Command Period
Min.
54 nS
50 nS
54 nS
60 nS
IDD0
Operating Current:
One Bank Active-Precharge
Max.
130 mA
120 mA
110 mA
IDD1
Operating Current:
One Bank Active-Read-Precharge
Max.
140 mA
130 mA
120 mA
IDD4R
Burst Operation Read Current
Max.
180 mA
170 mA
160 mA
IDD4W
Burst Operation Write Current
Max.
180 mA
170 mA
160 mA
IDD5
Auto Refresh Current
Max.
200 mA
190 mA
180 mA
IDD6
Self Refresh Current
Max.
3 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W942504CH-7 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
W9864G6IH-6 4M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PDSO54
WA-1RX33-A4 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH
WA-A325CBM Peripheral Interface
WA-A325CPC Peripheral Interface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9412G6IH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6IH-5 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
W9412G6JH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6JH-4 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16B DDR1 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 128M 250MHZ 66TSOP
W9412G6JH-5 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M BIT DDR1
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