參數(shù)資料
型號： W9412G6CH-5
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 43/55頁
文件大?。?/td> 2011K
代理商： W9412G6CH-5
W9412G6CH
Publication Release Date:Nov. 19, 2007
- 48 -
Revision A07
11.15 Write Interrupted by Write (BL = 2, 4, 8)
CMD
ADD
DQS
CLK
DQ
ACT
WRIT A
WRIT B
WRIT C
WRIT D
WRIT E
Row
Address
COl. Add. A
Col.Add.B
Col. Add. C
Col. Add. D
Col. Add. E
DC0
DC1
DD0
DD1
DA0
DA1
DB0
DB1
tCCD
tRCD
11.16 Write Interrupted by Read (CL = 2, BL = 8)
WRIT
CMD
DQS
DM
CLK
tWTR
DQ
D4
D5
D6
D7
D0
D1
D2
D3
Data must be
masked by DM
READ
Data masked by READ
command, DQS input ignored.
Q4
Q5
Q6
Q7
Q0
Q1
Q2
Q3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W942504CH-7 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
W9864G6IH-6 4M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PDSO54
WA-1RX33-A4 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH
WA-A325CBM Peripheral Interface
WA-A325CPC Peripheral Interface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9412G6IH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6IH-5 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
W9412G6JH 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6JH-4 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16B DDR1 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 128M 250MHZ 66TSOP
W9412G6JH-5 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M BIT DDR1
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