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參數(shù)資料
| 型號： | W9412G6CH-5 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 22/55頁 |
| 文件大?。?/td> | 2011K |
| 代理商： | W9412G6CH-5 |
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W9412G6CH
Publication Release Date: Nov. 19, 2007
- 29 -
Revision A07
Continued
-6
-75
SYM.
PARAMETER
MIN. MAX. MIN. MAX.
UNIT NOTES
tRPRE
DQS Read Preamble Time
0.9
1.1
0.9
1.1
tRPST
DQS Read Postamble Time
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK
11
tDS
DQ and DM Setup Time
0.4
0.5
tDH
DQ and DM Hold Time
0.4
0.5
tDIPW
DQ and DM Input Pulse Width (for each input)
1.75
nS
tDQSH
DQS Input High Pulse Width
0.35
tDQSL
DQS Input Low Pulse Width
0.35
tDSS
DQS Falling Edge to CLK Setup Time
0.2
tDSH
DQS Falling Edge Hold Time from CLK
0.2
tCK
11
tWPRES Clock to DQS Write Preamble Set-up Time
0
nS
tWPRE
DQS Write Preamble Time
0.3
0.25
tWPST
DQS Write Postamble Time
0.4
0.6
0.4
tDQSS
Write Command to First DQS Latching Transition
0.75
1.25
0.75
1.25
tCK
11
tIS
Input Setup Time
0.8
0.9
tIH
Input Hold Time
0.8
0.9
tIPW
Control & Address Input Pulse Width (for each input)
2.2
tHZ
Data-out High-impedance Time from CLK, CLK
-0.7
0.7
-0.75
0.75
tLZ
Data-out Low-impedance Time from CLK, CLK
-0.7
0.7
-0.75
0.75
tT(SS)
SSTL Input Transition
0.5
1.5
0.5
1.5
nS
tWTR
Internal Write to Read Command Delay
1
tCK
tXSNR
Exit Self Refresh to non-Read Command
75
nS
tXSRD
Exit Self Refresh to Read Command
200
tCK
tREFI
Refresh Interval Time (4k / 64mS)
15.6
S
17
tMRD
Mode Register Set Cycle Time
12
15
nS
9.7 AC Test Conditions
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Input High Voltage (AC)
VIH
VREF + 0.31
V
Input Low Voltage (AC)
VIL
VREF - 0.31
V
Input Reference Voltage
VREF
0.5 x VDDQ
V
Termination Voltage
VTT
0.5 x VDDQ
V
Differential Clock Input Reference Voltage
VR
Vx (AC)
V
Input Difference Voltage. CLK and CLK Inputs (AC)
VID (AC)
1.5
V
Output Timing Measurement Reference Voltage
VOTR
0.5 x VDDQ
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W942504CH-7 | 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66 |
| W9864G6IH-6 | 4M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| WA-1RX33-A4 | SNAP ACTING/LIMIT SWITCH |
| WA-A325CBM | Peripheral Interface |
| WA-A325CPC | Peripheral Interface |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W9412G6IH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6IH-5 | 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W9412G6JH | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM |
| W9412G6JH-4 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16B DDR1 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 128M 250MHZ 66TSOP |
| W9412G6JH-5 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M BIT DDR1 |
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