參數(shù)資料
型號(hào)： W9412G6CH-5
廠商： WINBOND ELECTRONICS CORP
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù)： 39/55頁(yè)
文件大?。?/td> 2011K
代理商： W9412G6CH-5
W9412G6CH
Publication Release Date:Nov. 19, 2007
- 44 -
Revision A07
11.9 Auto-precharge Timing (Read cycle, CL = 2), continued
2. tRCD/RAP(min)
≤ tRCD (READA) < tRAS (min) – (BL/2) × tCK
AP
Q7
Q6
Q5
Q4
Q3
Q2
Q1
Q0
ACT
READA
ACT
Q0
Q1
Q2
Q3
ACT
READA
ACT
Q0
Q1
ACT
AP
READA
ACT
tRP
tRAS
CMD
DQS
DQ
CMD
DQS
DQ
CMD
DQS
DQ
BL=2
BL=4
BL=8
CLK
AP
tRAP
tRCD
tRAP
tRCD
tRAP
tRCD
Notes: CL2 shown; same command operation timing with CL = 2.5, CL=3.
In this case, the internal precharge operation does not begin until after tRAS(min) has command.
AP
Represents the start of internal precharging.
The Read with Auto-precharge command cannot be interrupted by any other command.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
W942504CH-7 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
W9864G6IH-6 4M X 16 DDR DRAM, 5 ns, PDSO54
WA-1RX33-A4 SNAP ACTING/LIMIT SWITCH
WA-A325CBM Peripheral Interface
WA-A325CPC Peripheral Interface
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
W9412G6IH 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:2M × 4 BANKS × 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6IH-5 功能描述:IC DDR-400 SDRAM 128MB 66TSSOPII RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
W9412G6JH 制造商:WINBOND 制造商全稱(chēng):Winbond 功能描述:2M ? 4 BANKS ? 16 BITS DDR SDRAM
W9412G6JH-4 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:8*16B DDR1 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR SDRAM 128M 250MHZ 66TSOP
W9412G6JH-5 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR SDRAM 128M-Bit 8Mx16 2.5V 66-Pin TSOP 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:128M BIT DDR1
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