參數(shù)資料
型號(hào): SDED5-008G-NCY
廠商: SANDISK CORP
元件分類: 存儲(chǔ)控制器/管理單元
英文描述: FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
封裝: 12 X 18 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-115
文件頁數(shù): 76/87頁
文件大?。?/td> 1675K
代理商: SDED5-008G-NCY
Rev. 1.2
Product Specifications
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
78
92-DS-1205-10
Table 23: Power-Up Timing Parameters
Symbol
Description
Min
Max
Units
TREC (VCC-RSTIN)
VCC/VCCQ stable to RSTIN#
1
500
μs
TW (RSTIN)
RSTIN# asserted pulse width
50
ns
TP (BUSY0)
RSTIN#
to BUSY#
50
ns
TP (BUSY1)
RSTIN#
to BUSY#
3
75
ms
TP (VCC-BUSY0)
VCC/VCCQ stable to BUSY#
500
μs
Tsu (RSTIN-AVD)
RSTIN#
to AVD#
2
3
μs
Tsu (BUSY-CE)
BUSY#
to CE#
0
μs
Trise (RSTIN)
RSTIN# rise time
20
ns
Notes: 1. Specified from the final positive crossing of VCC/VCC1/VCC2/VCCQ minimum
voltages.
2. Applies to multiplexed interface only.
3. TP (BUSY1) depends on IPL mode (Normal / Paged ) and device capacity. For
unformatted devices this time may be up to one second.
Figure 34: Reset Timin
g
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PDF描述
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