參數(shù)資料
型號(hào): SDED5-008G-NCY
廠商: SANDISK CORP
元件分類(lèi): 存儲(chǔ)控制器/管理單元
英文描述: FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA115
封裝: 12 X 18 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-115
文件頁(yè)數(shù): 64/87頁(yè)
文件大?。?/td> 1675K
代理商: SDED5-008G-NCY
Rev. 1.2
Product Specifications
mDOC H3 EFD Featuring Embedded TrueFFS Data Sheet
67
92-DS-1205-10
10.2.3.3
3.3V Core, 3.3V I/O
Table 11: 3.3V Core, 3.3V I/O
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VCCQ
I/O power supply
2.7
3.3
3.6
V
VCC2
Internal supply
2.7
3.3
3.6
V
VCC
Device supply
2.7
3.3
3.6
V
VCC1
Internal supply
NC
-
VIH
Input High-level Voltage
2.0
3.6
V
VIL
Input Low-level Voltage
-0.3
0.8
V
II
Input Leakage Current
0≤VIN≤VCCQ
-10
10
uA
IOZ
Tri-State output leakage current
0≤VIN≤VCCQ
-10
10
uA
Vhys
Hysteresis
Schmidt
trigger inputs
520
mV
VOH
High-level Output Voltage
IOH=4mA-
12mA
2.4
V
VOL
Low-level Output Voltage
IOH=4mA-
12mA
0.4
V
PU
Pull up resistance
50
65
100
k
PD
Pull down resistance
40
56
107
k
Turbo mode
30
60
Icc
Active supply current
1
(cycle time = 60 ns)
Power Save
mode
20
40
2
mA
Standby mode
5
10
mA
ICCS
Standby supply current
1
DPD mode
110
150
uA
Note: Sum of all current on VCC, VCCQ and VCC2 balls. CL = 0 pF. T=25C.
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PDF描述
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