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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL191HB0BFI100 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 9 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-73 |
| 文件頁數(shù)： | 92/172頁 |
| 文件大小： | 4662K |
| 代理商： | S71PL191HB0BFI100 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁當前第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁
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S29PL127H/S29PL129H
S29PL127H_129H_00A1 May 7, 2004
Pr el i m i n ary
access time is the delay from the falling edge of the OE# to valid data at the out-
put inputs (assuming the addresses have been stable for at least tACC–tOE time).
Page Mode Read
The device is capable of fast page mode read and is compatible with the page
mode Mask ROM read operation. This mode provides faster read access speed for
random locations within a page. Address bits Amax–A3 select an 8 word page,
and address bits A2–A0 select a specific word within that page. This is an asyn-
chronous operation with the microprocessor supplying the specific word location.
The random or initial page access is tACC or tCE and subsequent page read ac-
cesses (as long as the locations specified by the microprocessor falls within that
page) is equivalent to tPACC. When CE# is deasserted (CE#=VIH), the reassertion
of CE# for subsequent access has access time of tACC or tCE. Here again, CE#
selects the device and OE# is the output control and should be used to gate data
to the output inputs if the device is selected. Fast page mode accesses are ob-
tained by keeping Amax–A3 constant and changing A2–A0 to select the specific
word within that page.
Table 2. Page Select
Simultaneous Operation
In addition to the conventional features (read, program, erase-suspend read, and
erase-suspend program), the device is capable of reading data from one bank of
memory while a program or erase operation is in progress in another bank of
memory (simultaneous operation). The bank can be selected by bank addresses
(Amax–A20) with zero latency.
The simultaneous operation can execute multi-function mode in the same bank.
Word
A2
A1
A0
Word 0
0
Word 1
0
1
Word 2
0
1
0
Word 3
0
1
Word 4
1
0
Word 5
1
0
1
Word 6
1
0
Word 7
1
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