參數(shù)資料
型號： P16F877
廠商： Microchip Technology Inc.
英文描述： DMOS MICROSTEPPING DRVR W/TRANSLATOR
中文描述： 28/40-Pin 8位CMOS閃存微控制器
文件頁數(shù)： 154/218頁
文件大?。?/td> 3824K
代理商： P16F877
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PIC16F87X
DS30292C-page 152
2001 Microchip Technology Inc.
15.1
DC Characteristics:
PIC16F873/874/876/877-04 (Commercial, Industrial)
PIC16F873/874/876/877-20 (Commercial, Industrial)
PIC16LF873/874/876/877-04 (Commercial, Industrial)
PIC16LF873/874/876/877-04
(Commercial, Industrial)
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40
°
C
≤
T
A
≤
+85
°
C for industrial
0
°
C
≤
T
A
≤
+70
°
C for commercial
Standard Operating Conditions (unless otherwise stated)
Operating temperature
-40
°
C
≤
T
A
≤
+85
°
C for industrial
0
°
C
≤
T
A
≤
+70
°
C for commercial
PIC16F873/874/876/877-04
PIC16F873/874/876/877-20
(Commercial, Industrial)
Param
No.
Symbol
Characteristic/
Device
Supply Voltage
Min
Typ
Max
Units
Conditions
V
DD
D001
16LF87X
2.0
—
5.5
V
LP, XT, RC osc configuration
(DC to 4 MHz)
LP, XT, RC osc configuration
HS osc configuration
BOR enabled, F
MAX
= 14 MHz
(7)
D001
D001A
16F87X
4.0
4.5
V
BOR
—
—
5.5
5.5
5.5
—
V
V
V
V
D002
V
DR
RAM Data Retention
Voltage
(1)
V
DD
Start Voltage
to
ensure internal Power-on
Reset signal
V
DD
Rise Rate
to ensure
internal Power-on Reset
signal
Brown-out Reset
Voltage
1.5
D003
V
POR
—
V
SS
—
V
See section on Power-on Reset for
details
D004
S
VDD
0.05
—
—
V/ms
See section on Power-on Reset for
details
D005
V
BOR
3.7
4.0
4.35
V
BODEN bit in configuration word
enabled
Legend: Rows with standard voltage device data only are shaded for improved readability.
Data in
“
Typ
”
column is at 5V, 25
°
C, unless otherwise stated. These parameters are for design guidance
only, and are not tested.
Note 1:
This is the limit to which V
DD
can be lowered without losing RAM data.
2:
The supply current is mainly a function of the operating voltage and frequency. Other factors such as I/O pin
loading, switching rate, oscillator type, internal code execution pattern and temperature also have an impact
on the current consumption.
The test conditions for all I
DD
measurements in active operation mode are:
OSC1 = external square wave, from rail to rail; all I/O pins tri-stated, pulled to V
DD
;
MCLR = V
DD
; WDT enabled/disabled as specified.
3:
The power-down current in SLEEP mode does not depend on the oscillator type. Power-down current is
measured with the part in SLEEP mode, with all I/O pins in hi-impedance state and tied to V
DD
and V
SS
.
4:
For RC osc configuration, current through R
EXT
is not included. The current through the resistor can be esti-
mated by the formula Ir = V
DD
/2R
EXT
(mA) with R
EXT
in kOhm.
5:
Timer1 oscillator (when enabled) adds approximately 20
μ
A to the specification. This value is from charac-
terization and is for design guidance only. This is not tested.
6:
The
current is the additional current consumed when this peripheral is enabled. This current should be
added to the base I
DD
or I
PD
measurement.
7:
When BOR is enabled, the device will operate correctly until the V
BOR
voltage trip point is reached.
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P16FB3 制造商:SEMTECH_ELEC 制造商全稱:SEMTECH ELECTRONICS LTD. 功能描述:ZENER DIODES
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