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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NANDBAR4N1BZBC5F |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | 存儲(chǔ)器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| 封裝： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-137 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1126K |
| 代理商： | NANDBAR4N1BZBC5F |
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Description
NANDxxxxNx
Figure 5.
TFBGA107 connections (top view through package)
1.
All voltage balls must be connected to the power supply (the internal connection is not guaranteed). All ground balls must
be connected to the ground.
2.
Balls shaded in gray are only used for NAND and DDR devices.
AI10143e
VDDD
A8
DQM1
VSSD
KE
A12
DQM0
H
A9
D
R
C
DQ4
A1
B
A3
A
8
7
6
5
4
3
2
1
VSSD
VDDQD
G
F
E
VDDQD
DU
WP
A0
BA0
DQ6
VSSQD
CAS
A11
NC
WF
BA1
A10
DU
VDDD
VSSD
9
NC
A2
ED
M
L
K
J
DU
DQ15
NC
DQ11
I/O6
VDDQD
VSSQD
NC
DQ9
I/O5
DQ13
VDDD
VSSF
VDDF
A7
I/O4
I/O7
A5
DU
VSSQD
A4
DU
P
N
10
NC
RB
DQ2
NC
EF
I/O3
VDDF
I/O2
NC
CL
AL
DQ0
VSSF
I/O1
VSSF
I/O0
K
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VDDD
DQ10
DQ12
DQ14
VSSD
DQ8
DU
A6
WD
NC
RAS
VDDF
NC
K
LDQS
UDQS
NC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| NB100LVEP224FAR2G | 100LVE SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 24 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PQFP64 |
| NB14R1521 | 1 ELEMENT, 1521 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| F14K69.5 | 1 ELEMENT, 69.5 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NANDBAR4N2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N4AZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBAR4N5BZBC5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NANDBBR4E5AP4R5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64MX16/128MX16 MCP PLASTIC PBF VFBGA 1.8V COMBO - Trays |
| NANDBBR4E5AP4R5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX16/32MX32/32MX32 MCP PLASTIC PBF VFBGA 1.8V COMBO - Tape and Reel |
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