參數(shù)資料
型號： NANDBAR4N1BZBC5F
廠商： NUMONYX
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-137
文件頁數(shù)： 5/52頁
文件大?。?/td> 1126K
代理商： NANDBAR4N1BZBC5F
NANDxxxxNx
Description
13/52
Figure 3.
Block diagram for TFBGA128, TFBGA152 (NANDA8R3N0, NANDA9R3N0,
NANDBAR3N, NANDB9R3N0), VFBGA152, and VFBGA160 packages
1.
Only available in PoP with DDR.
2.
Only available in PoP with DDRx16.
3.
Only available in PoP with SDR/DDR x32.
4.
x = 12 (width bus DRAM y = 13 bits) except for NANDBAR4N2, which has x = 13 (width bus DRAM
y = 14 bits).
5.
KE2 and ED2 are only used for the possible second LPSDRAM (NANDBAR3N6).
AI14290
y
A0-Ax (4)
DQM0
K
VDDF
DQ0-DQ15
NANDxxxxNx
EF
WF
AL
2
BA0-BA1
RAS
R
VDDQD VDDD
RB
I/O8-I/O15, x16
VSS
I/O0-I/O7, x8/x16
CL
KE1
ED1
WD
CAS
DQM2 (3)
DQM1
DQM3 (3)
WP
K (1)
DQ16-DQ31(3)
UDQS (2)
LDQS (2)
ED2 (5)
KE2 (5)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NANDB9R4N2CZBA5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NB06QSA035 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
NB100LVEP224FAR2G 100LVE SERIES, LOW SKEW CLOCK DRIVER, 24 TRUE OUTPUT(S), 0 INVERTED OUTPUT(S), PQFP64
NB14R1521 1 ELEMENT, 1521 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
F14K69.5 1 ELEMENT, 69.5 uH, POWDERED IRON-CORE, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NANDBAR4N2AZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NANDBAR4N4AZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NANDBAR4N5BZBC5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NANDBBR4E5AP4R5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64MX16/128MX16 MCP PLASTIC PBF VFBGA 1.8V COMBO - Trays
NANDBBR4E5AP4R5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MX16/32MX32/32MX32 MCP PLASTIC PBF VFBGA 1.8V COMBO - Tape and Reel
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