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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM4216C258 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 Bit CMOS Video RAM(256K x 16 位 CMOS視頻RAM) |
| 中文描述： | 256K × 16位的CMOS視頻RAM（256K × 16位的CMOS視頻內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/41頁(yè) |
| 文件大小： | 772K |
| 代理商： | KM4216C258 |
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KM4216C258
CMOS VIDEO RAM
Rev. 0.1 (Mar. 1998)
AC CHARACTERISTICS
( 0
°
C
≤
T
A
≤
70
°
C, KM4216C258 : V
CC
=
5.0V
±
10%)
Parameter
Symbol
-5*
-6
-7
Unit
Notes
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Random read or write cycle time
t
RC
t
RWC
t
HPC
85
104
124
ns
Read-modify-write cycle time
135
140
170
ns
Hyper page mode cycle time
20
25
30
ns
21
25
30
35
ns
22
Hyper page read-modify-write cycle time
t
HPRWC
66
70
74
ns
21
72
76
81
ns
22
Access time from RAS
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CPA
t
CLZ
t
OFF
t
T
t
RP
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
CSH
t
CAS
50
60
70
ns
3,5,11
Access time from CAS
15
15
20
ns
3,5,6
Access time from column address
25
30
35
ns
3,11
Access time from CAS Precharge
30
35
40
ns
3
CAS to output in Low-Z
3
3
3
ns
3
Output buffer turn-off delay
3
15
3
15
3
15
ns
7
Transition time (rise and fall)
2
50
2
50
2
50
ns
2
RAS precharge time
30
40
50
ns
RAS pulse width
50
10K
60
10K
70
10K
ns
RAS pulse width (Hyper page cycle)
50
100K
60
100K
70
100K
ns
RAS hold time
15
15
20
ns
CAS hold time
45
45
55
ns
CAS pulse width
10
10K
10
10K
10
10K
ns
21
15
15
15
ns
22
RAS to CAS delay time
t
RCD
t
RAD
t
CRP
t
CPT
t
CP
t
DOH
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WEZ
t
WPZ
t
WCH
t
WP
t
RWL
15
35
15
45
15
50
ns
5
RAS to column addr. delay time
12
25
12
30
12
35
ns
11
CAS to RAS precharge time
5
5
5
ns
CAS precharge time (CBR Counter test cycle)
15
20
25
ns
CAS precharge time (Hyper page cycle)
6
10
10
ns
16
Output hold time from CAS
3
3
3
ns
Row addr. set-up time
0
0
0
ns
Row addr. hold time
8
10
10
ns
Column addr. set-up time
0
0
0
ns
15
Column addr. hold time
8
10
12
ns
15
Column addr. to RAS lead time
25
30
35
ns
Read command set-up time
0
0
0
ns
Read command hold referenced to CAS
0
0
0
ns
9
Read command hold referenced to RAS
0
0
0
ns
9
Output buffer turn off delay from WB/WE
3
15
3
15
3
15
ns
7
Write command pulse width
10
10
10
ns
7
Write command hold time
10
10
10
ns
Write command pulse width
10
10
10
ns
Write command to RAS lead time
15
15
15
ns
Note13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM424C64-10 | 64K X 4 Bit CMOS VIDEO RAM |
| KM424C64-12 | Circular Connector; No. of Contacts:37; Series:D38999; Body Material:Metal; Connecting Termination:Crimp; Connector Shell Size:15; Circular Contact Gender:Pin; Circular Shell Style:Jam Nut Receptacle; Insert Arrangement:15-35 |
| KM424C64Z | 64K X 4 Bit CMOS VIDEO RAM |
| KM432C515 | 512K x 32Bit CMOS Quad CAS DRAM with EDO(512K x 32位CMOS四 CAS 動(dòng)態(tài)RAM(帶EDO模式)) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4216V256 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K X 16 BIT CMOS VIDEO RAM |
| KM4-21L-13PN | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KM4-21L-13PN-MK2 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KM4-21L-13SN | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
| KM4-21L-13SN-MK2 | 制造商:Amphenol Corporation 功能描述:KM AUSTRALIAN PRODUCT - Bulk |
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