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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K9WAG08U1M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 1克× 8位/第二代× 8位NAND閃存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 26/49頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1215K |
| 代理商： | K9WAG08U1M |
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FLASH MEMORY
26
Preliminary
K9
WA
G08U1M
K9K8G08U0M
Input Data Latch Cycle
CE
CLE
WE
DIN 0
DIN 1
DIN final
ALE
t
ALS
t
CLH
t
WC
t
CH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
t
WP
t
WH
t
WP
t
WP
≈
≈
≈
I/Ox
≈
≈
≈
* Serial access Cycle after Read
(CLE=L, WE=H, ALE=L)
RE
CE
R/B
Dout
Dout
Dout
t
RC
t
REA
t
RR
t
RHOH
t
REA
t
REH
t
REA
t
COH
t
RHZ
≈
≈
≈
≈
I/Ox
t
CHZ
t
RHZ
NOTES :
Transition is measured at
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
tRLOH is valid when frequency is higher than 33MHz.
tRHOH starts to be valid when frequency is lower than 33MHz.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| K9WBG08U1M-PCK0T00 | 制造商:Samsung 功能描述:SLC 8GB 32GB QDP X8 3.3 TSOP1 TR - Tape and Reel |
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