參數(shù)資料
型號(hào): K9WAG08U1M
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 1G x 8 Bit / 2G x 8 Bit NAND Flash Memory
中文描述: 1克× 8位/第二代× 8位NAND閃存
文件頁數(shù): 25/49頁
文件大?。?/td> 1215K
代理商: K9WAG08U1M
FLASH MEMORY
25
Preliminary
K9
WA
G08U1M
K9K8G08U0M
Command Latch Cycle
CE
WE
CLE
ALE
Command
Address Latch Cycle
t
CLS
t
CS
t
CLH
t
CH
t
WP
t
ALS
t
ALH
t
DS
t
DH
NOTE
Device
I/O
DATA
ADDRESS
I/Ox
Data In/Out
Col. Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
Row Add3
K9K8G08U0M
I/O 0 ~ I/O 7
2,112byte
A0~A7
A8~A11
A12~A19
A20~A27
A28~A30
I/Ox
CE
WE
CLE
ALE
Col. Add1
t
CS
t
WC
t
WP
t
ALS
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
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ALS
t
WH
t
WC
t
WP
t
DS
t
DH
t
ALH
t
ALS
t
WH
t
DS
t
DH
t
WP
I/Ox
Col. Add2
Row Add1
Row Add2
t
WC
t
WH
t
ALH
t
ALS
t
DS
t
DH
Row Add3
t
ALH
t
CLS
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PDF描述
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