參數(shù)資料
型號(hào)： HB52R329E2
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊(cè)使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 58/67頁(yè)
文件大?。?/td> 630K
代理商： HB52R329E2
HB52R329E2-D
58
Mode Register Set Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
CK
CKE
S
RE
CE
W
BA
Address
DQMB
Din
Dout
High-Z
b
b+3
b’
b’+1
b’+2
b’+3
l
valid
C: b’
RSA
code
lRCD
lRP
Precharge
Mode
register
Set
Bank 3
Bank 3
R: b
C: b
Output mask
V
IH
l = 3
CE
latency = 4
Burst le
= V or V
Read Cycle/Write Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1 b"+2 b"+3
CKE
RE
CE
W
S
Address
DQMB
Dout
Din
CK
BA
R:a
C:a
R:b
C:b
C:b'
C:b"
a
a+1 a+2 a+3
b
b+1 b+2 b+3 b'
b'+1 b"
b"+1b"+2 b"+3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
Bank 0
Bank 0
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 3
Bank 0
Bank 3
CKE
RE
CE
W
BA
S
Address
DQMB
Din
Dout
High-Z
High-Z
V
IH
V
IH
Read cycle
RE
-
CE
delay
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
IL
Write cycle
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 4
Burst length = 4
= V or V
IL
Read/Single Write Cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52RD168DB 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52RD328DC 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM)
HB52RF1289E2-75B x72 SDRAM Module
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52R329E22-A6F 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52R329E22-B6F 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
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HB52R329E2-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52R649E1U-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M × 4 Components) PC100 SDRAM
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