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參數(shù)資料
| 型號： | HB52R329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 18/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | HB52R329E2 |
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HB52R329E2-D
18
AC Characteristics
(Ta = 0 to 55
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
HB52R329E2
-A6D/B6D
Parameter
HITACHI
Symbol
PC/100
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
System clock cycle time
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
Tclk
10
—
ns
1
Tclk
10
—
ns
CK high pulse width
Tch
4
—
ns
1
CK low pulse width
Tcl
4
—
ns
1
Access time from CK
(
CE
latency = 3)
(
CE
latency = 4)
t
AC
t
AC
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DS
t
DH
t
AS
t
AH
t
CES
t
CESP
t
CEH
t
CS
t
CH
Tac
—
7.5
ns
1, 2
Tac
—
7.5
ns
Data-out hold time
Toh
2.1
—
ns
1, 2
CK to Data-out low impedance
1.1
—
ns
1, 2, 3
CK to Data-out high impedance
—
7.5
ns
1, 4
Data-in setup time
Tsi
2.9
—
ns
1
Data in hold time
Thi
3.4
—
ns
1
Address setup time
Tsi
2.6
—
ns
1
Address hold time
Thi
3.0
—
ns
1
CKE setup time
Tsi
2.6
—
ns
1, 5
CKE setup time for power down exit
Tpde
2.6
—
ns
1
CKE hold time
Thi
3.0
—
ns
1
Command setup time
Tsi
2.6
—
ns
1
Command hold time
Thi
3.0
—
ns
1
Ref/Active to Ref/Active command period t
RC
Active to precharge command period
Trc
70
—
ns
1
t
RAS
t
RCD
Tras
50
120000
ns
1
Active command to column command
(same bank)
Trcd
20
—
ns
1
Precharge to active command period
t
RP
t
DPL
Trp
20
—
ns
1
Write recovery or data-in to precharge
lead time
Tdpl
15
—
ns
1
Active (a) to Active (b) command period
t
RRD
t
T
t
REF
Trrd
20
—
ns
1
Transition time (rise to fall)
1
5
ns
Refresh period
—
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RD168DB | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52RD328DC | 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(256 MB 未緩沖同步DRAM S.O.DIMM) |
| HB52RF1289E2-75B | x72 SDRAM Module |
| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM |
| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52R329E22-A6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52R329E22-B6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52R329E22-F | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256 MB Registered SDRAM DIMM 32-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 16 M × 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52R329E2-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52R649E1U-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword × 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M × 4 Components) PC100 SDRAM |
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