- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52R329E2 (Hitachi,Ltd.) 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HB52R329E2 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 36/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 630K |
| 代理商： | HB52R329E2 |
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HB52R329E2-D
36
Burst Length
READ
CK
Command
Dout
ACTV
Row
Column
out 0
out 6
out 7
out 8
Address
out 0 out 1
out 4
out 5
out 0
out 1 out 2 out 3
BL = 1
out 0 out 1 out 2
out 3
out 0
out 1 out 2 out 3
out 6
out 7
out 4
out 5
out 0-1
out 0
out 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
BL = full page
t
RCD
BL : Burst Length
CE
Latency = 3
Write operation:
Burst write or single write mode is selected by the OPCODE (A13, A12, A11, A10, A9,
A8) of the mode register.
1. Burst write:
A burst write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (0, 0). A burst write
starts in the next clock as a write command set. (The latency of data input is 1 clock.) The burst length can
be set to 1, 2, 4, 8, and full-page, like burst read operations. The write start address is specified by the
column address (and the bank select address (BA) at the write command set cycle.
WRIT
CK
Command
Din
ACTV
Row
Column
in 0
in 6
in 7
in 8
Address
in 1
in 4
in 5
in 3
BL = 1
in 6
in 7
in 4
in 5
in 0-1
in 0
in 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
BL = full page
t
RCD
in 0
in 0
in 0
in 0
in 1
in 1
in 1
in 2
in 2
in 2
in 3
in 3
CE
Latency = 3, 4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52RD168DB | 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM(128MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
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| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM |
| HB52RF1289E2 | 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| HB52R329E22-B6F | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
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