參數(shù)資料
型號(hào)： HB52R329E2
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述： 注冊(cè)使用256 MB SDRAM的內(nèi)存（256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 55/67頁(yè)
文件大小： 630K
代理商： HB52R329E2
HB52R329E2-D
55
Initialization sequence:
When 200
μ
s or more has past after the above power-up sequence, all banks must
be precharged using the precharge command (PALL). After t
RP
delay, set 8 or more auto refresh commands
(REF). Set the mode register set command (MRS) to initialize the mode register. We recommend that by
keeping DQMB to High, the output buffer becomes High-Z during Initialization sequence, to avoid DQ bus
contention on memory system formed with a number of device.
Stabilization time:
The PLL requires a stabilization time to achieve phase lock of the feedback signal to
the reference signal. This stabilization time is required following power-up. So this SDRAM module
needs dummy cycle for 50
μ
s after power-up.
V
CC
Power up sequence
Initialization sequence
100
μ
s
0 V
Low
Low
Low
CKE, DQMB
CK
S
, DQ
200
μ
s
Power stabilize
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PDF描述
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HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
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參數(shù)描述
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