參數(shù)資料
型號: HB52R329E2
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述: 注冊使用256 MB SDRAM的內(nèi)存(256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存)
文件頁數(shù): 2/67頁
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代理商: HB52R329E2
HB52R329E2-D
2
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1/2/4/8/full page)
Interleave (BL = 1/2/4/8)
Programmable
CE
latency
: 3/4 (HB52R329E2-A6D)
: 4 (HB52R329E2-B6D)
Byte control by DQMB
Refresh cycles: 4096 refresh cycles/64 ms
2 variations of refresh
Auto refresh
Self refresh
Full page burst length capability
Sequential burst
Burst stop capability
Ordering Information
Type No.
Frequency
CE
latency
Package
Contact pad
HB52R329E2-A6D
HB52R329E2-B6D
100 MHz
100 MHz
3/4
4
168-pin dual lead out socket type
Gold
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HB52RF1289E2-75B x72 SDRAM Module
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM 128-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (36 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133 SDRAM
HB52RF1289E2 1 GB Registered SDRAM DIMM(1GB 寄存同步DRAM DIMM)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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