參數(shù)資料
型號(hào): HB52R329E2
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 256 MB Registered SDRAM DIMM(256 MB 寄存同步DRAM DIMM)
中文描述: 注冊(cè)使用256 MB SDRAM的內(nèi)存(256 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存)
文件頁(yè)數(shù): 17/67頁(yè)
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代理商: HB52R329E2
HB52R329E2-D
17
Capacitance
(Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V)
Parameter
Symbol
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
Input capacitance (
RE
,
CE
,
W
)
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
25
pF
1, 2, 4
25
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (
S
)
45
pF
1, 2, 4
20
pF
1, 2, 4
Input capacitance (CK)
45
pF
1, 2, 4
Input capacitance (DQMB)
20
pF
1, 2, 4
Input/Output capacitance (DQ)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
25
pF
1, 2, 3, 4
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