- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383012 > GM72V66841ET-7 (HYNIX SEMICONDUCTOR INC) 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ET-7 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 53/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET-7 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁當前第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁
LG Semicon
Self Refresh Cycle
GM72V66841CT/CLT
Self Refresh Cycle
RAS-CAS Delay = 3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
52
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ
A10=h
Precharge
Command
if needed
Self Refresh
Entry Command
Auto
Refresh
Self Refresh Exit
Ignore Command
of No Operation
CKE Low
CLK
t
RP
t
RC
Next
Clock
Enable
Self Refresh
Entry Command
Next
Clock
Enable
High-Z
t
RC
DQM ,
DQMU/DQML
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM7630 | FIXED MULTI - OUTPUT REGULATOR |
| GM7630SIP10T | FIXED MULTI - OUTPUT REGULATOR |
| GM76C28A | 2,048 WORDS X 8 BIT CMOS STATIC RAM |
| GM82C803C | 2.88 MB FDC/ DUAL UARTS WITH FIFO PIO / IDE INTERFACE / S-IR/ PNP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-75 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7J | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841ET-7K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| GM72V66841ET-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 SDRAM |
| GM72V66841EXX | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。