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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GM72V66841ET-7 |
| 廠(chǎng)商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/57頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET-7 |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
CLK
Command
DQM,
DQMU
/DQML
CL=2
CL=3
READ to WRITE Command Interval (2)
Dout
Din
READ
2 Clock
WRIT
High-Z
High-Z
2. Same bank, different ROW address:
When the ROW address changes, consecutive
write commands cannot be executed; it is
necessary to separate the two write commands
with a Precharge command or a bank-active
command.
3. Different bank:
When the bank changes, the write can be
performed after an interval of no less than 1
cycle, provided that the other bank is in the bank-
active state. However, DQM, DQMU/DQML
must be set High so that the output buffer
becomes High-Z before data input.
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