參數(shù)資料
型號： GM72V66841ET-7
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述： 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝： 0.400 INCH, TSOP2-54
文件頁數(shù)： 38/57頁
文件大?。?/td> 592K
代理商： GM72V66841ET-7
LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Absolute Maximum Ratings
Notes : 1. Respect to V
SS
37
Symbol
Value
Unit
Note
Parameter
V
T
-0.5 to Vcc+0.5
(<= 4.6 (max))
V
1
Voltage on any pin relative to V
SS
V
CC
-0.5 to +4.6
V
1
Supply voltage relative to V
SS
I
OUT
50
mA
Short circuit output current
P
T
1.0
W
Power dissipation
Topr
0 to +70
C
Operating temperature
Tstg
-55 to +125
C
Storage temperature
Notes : 1. All voltage referred to V
SS
.
2. V
IH
(max) = 4.6V for pulse width <= 5ns
3. V
IL
(min) = -1.5V for pulse width <= 5ns
Recommended DC Operating Conditions (Ta = 0 to + 70C)
Symbol
Min
Unit
Note
V
CC
, V
CCQ
V
1
V
SS
, V
SSQ
V
Input high voltage
V
IH
V
1, 2
Input low voltage
V
IL
V
1,3
Supply voltage
Parameter
Max
3.0
3.6
0
0
2.0
Vcc + 0.3
-0.3
0.8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GM72V66841ET-7K 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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參數(shù)描述
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