參數(shù)資料
型號: GM72V66841ET-7
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-54
文件頁數(shù): 50/57頁
文件大?。?/td> 592K
代理商: GM72V66841ET-7
LG Semicon
Read / Burst Write Cycle
GM72V66841CT/CLT
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(input)
a+2
a
a+1
Bank0
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank3
Active
Clock
Suspend
Bank0
Active
Bank0
Read
Bank0
Write
Bank0
Precharge
Bank3
Precharge
R:b
C:a
R:a
C:a
..
19
20
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
DQ(output)
a+2
a
a+1
a+3
a+2 a+3
a
a+1
R:b
C:a
R:a
C:a
..
a+3
a
a+1
CKE
CS
RAS
CAS
WE
Address
DQ(input)
DQ(output)
A12/A13
Read/Burst Write
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
49
a+3
V
IH
DQM ,
DQMU/DQML
DQM ,
DQMU/DQML
相關PDF資料
PDF描述
GM72V66841ET-7K 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
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GM7630SIP10T FIXED MULTI - OUTPUT REGULATOR
GM76C28A 2,048 WORDS X 8 BIT CMOS STATIC RAM
GM82C803C 2.88 MB FDC/ DUAL UARTS WITH FIFO PIO / IDE INTERFACE / S-IR/ PNP
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參數(shù)描述
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