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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ET-7 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 12/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET-7 |
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LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
Function Truth Table (Continued)
Current
state
Write
CS
RAS
CAS
WE
Address
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
H
BA, CA, A10
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
L
L
L
H
X
L
L
L
L
MODE
Command
Operation
NOP
BST
READ/READ A
WRIT/WRIT A
ACTV
PRE, PALL
REF, SELF
MRS
Continue burst to end
Burst stop on full page
Term burst and New
write
Other bank active
ILLEGAL on same bank
ILLEGAL
ILLEGAL
H
X
X
X
X
DESL
Continue burst to end
Write with
auto-
Precharge
H
X
X
X
X
L
H
H
H
X
L
H
H
L
X
L
H
L
L
BA, CA, A10
L
L
H
H
BA, RA
L
L
H
L
BA, A10
DESL
NOP
BST
WRIT/WRIT A
ACTV
PRE, PALL
Continue burst to end
and Precharge
Continue burst to end
and Precharge
ILLEGAL
ILLEGAL
L
L
L
H
X
REF, SELF
ILLEGAL
L
H
L
H
BA, CA, A10 READ/READ A ILLEGAL
ILLEGAL
Term burst and New
read
L
L
L
L
MODE
MRS
ILLEGAL
Term burst write and
Precharge
*2
Other bank active
ILLEGAL on same bank
11
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