參數(shù)資料
型號: GM72V66841ET-7
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
中文描述: 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
封裝: 0.400 INCH, TSOP2-54
文件頁數(shù): 32/57頁
文件大小: 592K
代理商: GM72V66841ET-7
LG Semicon
GM72V66841CT/CLT
READ to Precharge Command Interval (same bank) : To stop output data
CLK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
l
HZP
=2
CAS Latency = 2, Burst Length = 1, 2, 4, 8
out A0
31
High - Z
out A0
CAS Latency = 3, Burst Length = 1, 2, 4, 8
CLK
Command
Dout
READ
PRE/PALL
I
HZP
=3
High - Z
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PDF描述
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