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參數(shù)資料
| 型號： | GM72V66841ET-7 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 INCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 51/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | GM72V66841ET-7 |
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LG Semicon
Full Page Read / Write Cycle
GM72V66841CT/CLT
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A12/A13
Address
DQ(output)
a+2 a+3
a
a+1
.
..
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Read
Burst
Stop
Bank3
Precharge
R:b
C:a
R:a
..
DQ(input)
..
CKE
CS
RAS
CAS
WE
Address
DQ(input)
DQ(output)
A12/A13
V
IH
a
a+1
a-2
a-1
.
a+2
..
V
IH
a+2 a+3
a
a+1
.
.
..
..
..
..
R:b
C:a
R:a
.
.
..
..
..
..
a+4
a+1
a+5 a+6
a+3 a+4
a+2
a+5
Bank3
Active
Bank0
Active
Bank0
Write
Burst
Stop
Bank1
Precharge
50
DQM ,
DQMU/DQML
DQM ,
DQMU/DQML
High-Z
High-Z
Write Cycle
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
Read Cycle
RAS-CAS Delay=3
CAS Latency=3
Burst Length=4
= VIH or VIL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GM72V66841ET-7K | 2,097,152 WORD x 8 BIT x 4 BANK SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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